电子级多晶硅归属于电子化工品检测类型之一。多晶硅商品关键用氯硅烷、氯硅烷来生产加工生产制造而成的。电子级多晶硅全新的检测规范为GB/T 12963-2014《电子级多晶硅》。尽管多晶硅规范早开展公布并改动，可是在我国多晶硅生产工艺流程技术性与生产能力跟海外的极大差别。因此其生产工艺科学研究一直在半导体业的关键方位。AG真人官网平台技术工程师今日就GB/T 12963-2014对电子级多晶硅检测规范的有关要求，与大伙儿剖析讨论一下。

       最先大家应当了解GB/T 12963-2014是对09版的填补和改动。电子级多晶硅要想做到优秀性能指标，就务必与国际标准维持水准一致，达到半导体器件领域的技术性发展趋势要求，可是也需要充分考虑中国生产制造技术水平，仅有科学研究、有效的对多晶硅的技术标准、性能参数开展要求，方才能真真正正获得毫无疑问和实行。09版针对多晶硅的主要参数在施主杂质浓度、受主杂质浓度、吸氧浓度、基材金属杂质浓度、表面金属杂质浓度等指标值上是有缺乏的，因此GB/T 12963-2014在这种层面要求都获得了立即填补提升。除此之外由于多晶硅的品质标准分1级、2级、3级三个规范，因此GB/T 12963-2014在碳浓度值上也各自开展调节改动。

    次之，电子级多晶硅的检测新项目及级别规定可以说一份检测汇报的关键数据信息。实际检测新项目以下：

    从而我们可以看得出，电子级多晶硅检测新项目关键有施主杂质浓度、受主杂质浓度、极少数自由电子使用寿命、碳浓度值、吸氧浓度、基材金属杂质浓度、表面金属杂质浓度等。而旧版的规范只对基磷电阻、基硼电阻、碳浓度值、极少数自由电子使用寿命四个指标值开展了要求。因此能够看得出GB/T 12963-2014的改动更加完全。这儿大家还应当了解，基材金属残渣检测关键为铁、铬、镍、铜、锌、钠等金属。表面金属残渣检测为铁、镍、铬、铜、锌、铝、钾、钠等金属。

    此外，电子级多晶硅的导电性种类分成N型和P型。构造规定为无空气氧化隔层。外型规定表面构造高密度、整平，横断面边沿的颗粒物不可以超过3mm，此外不可以有色素斑、掉色及由此可见的污染物质等缺点。因为分成小块多晶硅，杆状多晶硅等外观设计，因此多晶硅还必须开展规格及容许误差的测量，自然这种都能够由甲乙双方来商议明确。